都说地方2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。
ZZGNR（ZGNR）展现出铁磁性和半金属性等奇特的电学特性，国内而理论计算表明ACGNR（AGNR）具有半导体特性，其带隙大小与其宽度成反比。本方法结合传统的自上向下（h-BN层的取向刻蚀）和自下向上（GNR模板生长）方法，卷卷实现了在二维绝缘h-BN表面的面内无缝拼接GNR制备，卷卷并且GNR可以保持其独特的电学性质。
都说地方（e）GNR带隙大小（Eg）与宽度（w）的关系图。（d）300K时，国内AGNR器件在Vgate为-25-25V时的ISD-VSD特性曲线。卷卷（b）特定取向的GNR的合成方法。
都说地方文献链接Towardschiralitycontrolofgraphenenanoribbonsembeddedinhexagonalboronnitride（NatureMaterialsDOI:10.1038/s41563-020-00806-2）。（b，国内d）亚5nm超窄ZGNR（b）和AGNR（d）的三维AFM高度图像。
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ZGNR与超导体的接触会表现出拓扑电子态，都说地方可能在量子计算中得到应用。其中，国内PES-SO3H层充当功能层，PES-OHIm层充当支撑层。
卷卷2016年当选为美国国家工程院外籍院士。曾获北京市科学技术奖一等奖，都说地方中国化学会青年化学奖，中国青年科技奖等奖励。
国内1996年进入日本科技厅神奈川科学技术研究院工作。迄今Nature,Acc.Chem.Res.,Chem.Soc.Rev.,J.Am.Chem.Soc.,Angew.Chem.Int.Ed.,Adv.Mater.等国际化学和材料界等杂志上发表论文500余篇（他引15000余次），卷卷出版合著4部，卷卷合作译著1部，担任担任《CCSChemistry》主编、《光电子科学与技术前沿丛书》主编、《中国大百科全书》第三版化学学科副主编、物理化学分支主编。